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半導(dǎo)體行業(yè)真空氦質(zhì)譜檢漏儀

2023-05-25

　　半導(dǎo)體行業(yè)真空氦質(zhì)譜檢漏儀??是保障芯片制造精度的核心設(shè)備，專用于檢測工藝設(shè)備的極微泄漏。其工作原理基于??氦氣示蹤??：向待測件注入氦氣，通過高真空質(zhì)譜系統(tǒng)分離氦離子，經(jīng)法拉第杯/電子倍增器捕捉信號(hào)，精準(zhǔn)定位漏點(diǎn)。

　　
　　一、示蹤氣體選擇??
　　
　　??氦氣（He）??：分子量?。??g/mol）、惰性、無毒，易擴(kuò)散且本底濃度低（空氣中僅5?ppm）。
　　
　　替代方案：氫氣（需防爆設(shè)計(jì)）、氪-85（放射性，特殊場景用）。
　　
　　二??、檢測流程??
　　
　　??1、抽真空??：將待測設(shè)備（如真空腔體）抽至分子流狀態(tài)（氣體分子自由運(yùn)動(dòng)，無碰撞）。
　　
　　??2、噴氦/充氦??：外部噴氦或內(nèi)部充氦，氦分子通過泄漏點(diǎn)進(jìn)入檢漏儀。
　　
　　??3、電離篩選??：氦氣在質(zhì)譜儀中被電離為He?，通過磁場偏轉(zhuǎn)分離，檢測器捕獲信號(hào)。
　　
　　??4、定量定位??：信號(hào)強(qiáng)度對(duì)應(yīng)泄漏率，移動(dòng)噴槍可精確定位漏點(diǎn)（精度達(dá)0.1?mm）。
　　
　　三、核心公式??
　　
　　泄漏率Q=P×V/t（P：壓差，V：泄漏體積，t：時(shí)間），在分子流狀態(tài)下與氣體種類無關(guān)。
　　
　　四、應(yīng)用場景
　　
　　1、??EUV光刻機(jī)真空腔：防止氧氣/水汽滲入，保障極紫外光傳輸。
　　
　　??2、薄膜沉積設(shè)備：確保反應(yīng)腔密封，避免工藝氣體（如SiH?）外泄。
　　
　　??3、晶圓傳輸系統(tǒng)：檢測真空機(jī)械臂密封性，杜絕微粒污染。
　　
　　??4、3D封裝硅通孔(TSV)??：驗(yàn)證氣密性，防止?jié)駳馇治g互連結(jié)構(gòu)。